半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范_SJT11849-2022.docx
ICS31.080.30CCSL42中华人民共和国电子行业标准SJ/T118492022半导体分立器件3DG3500x3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范SemiconductordiscretedevicesDetailspecificationforsiliconNPNhighfrequencylowpowertransistorof3DG3500and3DG35012023-01-01 实施2022-10-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布昕、高盼红、朱伟娜、崔宝莹。本文件主要起草人：赵土本文件按照GB"1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的贵任.本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SACrC78)提出并归口.本文件起草单位：石家庄天林石无二电于毋脸同、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所。Ii半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范1范围本文件规定了 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求。2规范性引用文件243术语4要求。质量评定类别为类。4 2.1器件设计、结构4.2设计、结构和外形尺寸（引线牢固度） 澧到牛的耐焊接热文件。GB/TGB/T GBZT GB/T极油路年规鸵4部分:碣 5部分：1部分：用InJ利阳1分：分立器件g下列文件中的内 仅该日期对应的不注日期的引用文件，其.其中,注日期的引用文件, f有的修改单）适用于本环境试验第2部分：试验方法1句垂修安摇停和集加电路第7部GBTf49>l 2018 GB1 4 脸 12018IW GB/t 4937. Jl 2018WGB/T y 11987 半GB/T l-1999本文4. 1总则器件应符合本3 质量评定类别符合河候试验方法体器件机械和气候试验方法:好气候试验方法；气候试验方沱芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装。4.2.2外形尺寸外形符合GB/T7581-1987中A3-02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表Io1.发射极，2.基极，3.集电极图1外形图表1外形尺寸单位为至米符号尺寸数值最小标称最大A6.106.58a5.08b.1.01bi0.407一0.508D8.64一9.65Di8.018.50J0.7120.7870.863K0.641.14L12.5025.00Li1.274.3 最大额定值和电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表2.除非另有规定，n=25oC表2最大额定值参数符号数值单位最小值最大值匚作环境温度-55125贮存温度11ig200最大集电极-基极直流电压Fcbo150V最大集电极发射极直流电压150V表2（续）参数符号数值单位最小值最大值最大发射极-基极直流电压Vero6V最大集电极直流电流Icm300mA最大总耗散功率尸IOt一1000mW谈高结温Tjm200结-环境热阻RMQ)一175/w4.3.2电特性电特性见表3。除非另有规定,'符号Z/数值最小值最大值正向电流传输比/3DG3500/AreiFiCE=5V,2).1m/K20353DG3501/L-"%L正向电流传哪Vfc/f*hh3DG3500/£MHi3DG3501Ir!，ce三5V,IcI25”,o正向电流微4*/I"5V,IeI3DG3500/O/l-.r.3DG35O11IAtaMn正向电流卡融fIF-I3DG3500“13DG3501IBkZkfIsiIL1、120300正向电流传输k3DG3500S3DG3501*K分/20集电极-发表庖%E(Mi)lfe=lmA,Jic=IOmA/3/-0.2集电极发射飞%E(Mfe-15m.fc150mA/,J0.4基极发射极饱外压''''XFbE(SM):=1mA.fc10vnfv/0.8基极发射极饱和M1'j%E(1M)2fe=5mA.c-i5p4i1/1.2集电极-基极截止电总、&4、一CBOA10集电极-基极截止电流7旷.IFb尿,n50集电极-发射极截止电流、*、LmliA一1发射极-基极截止电流.y*A10发射极-基极截止电流B27ic=0,相b=4VnA25高温下的集电极-基极截止电流CB3K=150oCrO,P=75V50IE向电流传输比3DG35OO3DG3501Afet=-550CFce=5V,fc=150mA2245小信号共发射极短路正向电流传输比福值1尿1Pce=20V,fc-20m户IOoMHZ1.58共发射极小信号短路正向电流传输比3DG35OO3DG3501hhy10V,fc=10mAf=lkHz3575300375表3（续）名称符号条件单位数值破小值最大侦噪声系数FlFce=WV,无=0.5InA户1kHz,Rg=WkdB16噪声系数F2Fce=IOV,fc=0.5m户IOkHZ,Rg=IOkCdB6共基极输出电容G>boFcb=IOV,e-O.100kHzlMHzPF8共基极输入电容CboFeb-0.5V,fc=0,100kHZs1MHzPF一80开启时间PEB=5V,fc=150mA,7b=15mAns115关闭时间Iofffc=150mA/b产=15mAns11504.4 电测试要求电测试应符合GBZT45871994及本文件的规定。4.5标志器件上的标志包括以下几部分：产品型号，3DG3500、3DG3501；质量评定类别标志H,即3DG350011,3DG350111;制造厂商标；检验批的识别代号。5质量评定程序5.1 抽样抽样方案按GB"125601999和本文件的规定。5.2 试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表4表6的规定。表4A组逐批检验或试验符号引用标准条件除非另有规定.725oC±5oC(见GB/T4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值最大值Al分组外部目检GB/T4589.120064.3.1.1标志清晰，表面无机械根伤、破损52a分组不能工作器件集电极-基极截止电流正向电流传输比A：BOlAfeGB/T45871994IV,1,2.1GB/T45871994IV,2,7fe=0,Fcb=150VF10V,fc=150mA短路：ACBol2100IIA开路：Afe510表4（续）检验或试验符号引用标准条件除非另有规定，725C±5C(见GB/T4589.12006的4.1)检验要求极限值单位LTPD最小值最大值A2b分组集电极-基极截止电流集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流发射极-基极截止电流兀BolCB2AceoBO1,GBrr45871994IV,L2.1GB/T45871994IV,1,2.1GB/T45871994Me"",fi行4587至弋94;RIS加iJGBZ=0,Ft三=150VIefQ,S75VZb=O,"120V7¾XKB=g,、一105011025AnAAAnA5A3分组/正向电流传输比/53DG3500/O3DG3501/正向电流传附匕1，3DG3500/3DG3501/jS/正向电流/3DG35001J/3DG35011I正向电流上输kI3DG35OO23DG35017L正向电流传输无二3DG3500j113IXJ3501V基极-发射欣，和笔以基极-发射极邮电歹集电极发射极Np由标集电极发射极饱N成加»4JJzBE(Sat)II(GB/T45871994W.7IFzce=Vct阳I-fe=b=110V,fc=0U,(4r做信y0.20.4VVVV5“,III-f2,FaWar>*m-GB"45871994IV,1.5GB/T45871994IV,1,4EOV,U=IOV,310V,Ffl1mA,fc:5mA,Ic=1mA,Ic=5mA,IcI=IOi150IOn15*、mAInAInAnA/mA/A4分组小信号共发射极短路强向电流传输比幅值共发射极小信号短路正向电流传输比3DG35OO3DG3501噪声系数噪声系数导通时间关断时间0FlF2ZonZOfrG57-1994外公rs*三"；匕磨,8整IWZ>vTR.三pIFyj一GBr45871994IV,b14GBZ45871994IV,b14GB/T45871994IV,I,12GB/T45871994IV,1,12v,"kce=10V,Ic=O.5mA,户1kHz,Rg=TOkPce=IOV,fc0.5m,户10kHz,-10kPEB=5V,fc=150mA,bi15mAfc=150mA,b>=bs=15mA/4.5
