半导体光电子学课件下集5.3半导体激光器的远场特性7.ppt
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半导体光电子学课件下集5.3半导体激光器的远场特性7.ppt
5.3 半导体激光器的远场特性 近场分布：解理面上的光路分布 远场分布：距输出腔面一定距离v目的：耦合、存储v问题：很大3050 ，1020v原因：LD有源区横截面不对称和很小的线度/一.垂直于结平面的发散角d一般情况：当d较小时在输出端面z=0处的光场 为衰减常数 （x方向上）2220222)sin(|)(|)(kEI半强度点对应的光束发散角（半角）全角由02121)12(22k2)(202122dknn dknn202122)(0.421)()(21II02121)12(sink2020212202021222.1)(0.41)(05.4dknndknnddnn0021222.1)(05.4当d很小当d较厚v讨论：当d很小：d 光扩展出有源层 当d较厚：d 衍射角 二.平行于结平面方向上的发射角/（弧度）w较宽 10/三.波导结构对远场的影响1.折射率差 2.有源层厚度3.增益波导LD 远场不平滑对称4.折射率波导LD 对称性好 在激光器两端采用锥形有源层结构 窄光束发射角、低阈值电流10圆光斑)(3LDT
