可替代MOS管的分立元件设计.docx

可替代集成MOSFET的分立器件作者：RobertKollman,德州仪器（TI）在电源设计中，工程师通常会面临掌握IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致掌握IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采纳外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案，工程师通常会选择比较廉价的分立器件。图1简洁的缓冲器可驱动2Amps以上的电流。图1中的示意图显示了一个NPN/PNP放射跟随器对，其可用于缓冲掌握IC的输出。这可能会增加掌握器的驱动力量并将驱动损耗转移至外部组件。很多人都认为该特别电路无法供应足够的驱动电流。如图2Hfe曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件供应高于0.5A的电流。但是，该电路可供应大大高于0.5A的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50源驱动，负载为一个与IQ电阻串联的0.01UF电容。该线迹显示了IQ电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2Ao该数字还显示MMBT2222A可以供应大约3A的电流，MMBT3906汲取2A的电流。事实上，晶体管将与其组件进行配对（MMBT3904用于3906,MMBT2907用于2222）。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe,如FMMT618/718对，其在6A电流时具有100的hfe（请参见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。lm7oo5xo战1OO70S0XSZ3 i8 00-wux602 0305 W 1.020 3.0S.0 7.0 1020 X SONWO 200 300 MO 700 Ut COLLECTOR CURRENT图2诸如FMMT618 低：FMMT618).的更高电流驱动器可增加驱动力量（最高：MMBT3904/最图3显示了一款可使您跨越隔离边界的简洁缓冲器变量状况。一个信号电平变压器由一个对称双极驱动信号来驱动。变压器次级绕组用于生成缓冲器电力并为缓冲器供应输入信号。二极管Dl和D2对来自变压器的电压进行调整，而晶体管Ql和Q2则用于缓冲变压器输出阻抗以供应大电流脉冲，从而对连接输出端的FET进行充电和放电。该电路效率极高且具有50%的占空比输入（请参见图3中较低的驱动信号），由于其将驱动FET栅极为负并可供应快速开关，从而最小化开关损耗。这特别适用于相移全桥接转换器。假如您准备使用一个小于50%的上方驱动波形（请参见图3）,那么就要使用缓冲变压器。这样做有助于避开由于转换振铃引起的任意开启EFTo一次低电平到零的转换可能会引起漏电感和次级电容，从而引发振铃并在变压器外部产生一个正电压。D1图3采用几个部件您就可以构建一款独立驱动器总之，分立器件可以关心您节省成本。价值大约0.04美元的分立器件可以将驱动器IC成本降低10倍。分立驱动器可供应超过2A的电流并且可以使您从掌握IC中获得电力。此外，该器件还可去除掌握IC中的高开关电流，从而提高稳压和噪声性能。