08UM光刻工艺培训.docx
工艺培训总结汇报二室高向东0.8UMCMOS双阱工艺一般包括以下层次光刻：(I)N阱光刻(2)：有源区光刻(3)：场区光刻(4)：多晶光刻(5)：N源漏光刻(6)：P源漏光刻(7)：孔光刻(8)：金属1光刻(9)：通孔光刻(10)：金属2光刻(I1.)钝化光刻其中有源区光刻、多晶光刻、孔光刻、金属1光刻、通孔光刻、金属2光刻为关键层次光刻.其CD工艺指标如卜丁IDNameSpecification.1Is1.andmaskDICD=1.5+0.10mA1.ignton-we1.1.A1.ignment<±O.25nProfi1.eang1.e87+/-27vPo1.ymaskDICD=0.8±0.1mA1.igntois1.andA1.ignment<±O.25mProfi1.eang1.e87+/-23ContactmaskD1.CD=1.0±0.1m1.igntopo1.y1A1.ignment<±O.25mProfi1.eang1.e87+/-25Meta1.viamaskDICD=1.0±0.1nA1.igntometa1.11.ignment<±0.25mProfi1.eang1.e87+/-26Meta1.1/2maskCd1.oss<0.1mA1.igntometa1.via1.ignnent<±0.25mProfi1.eang1.e87+/-2一：对设备、材料的根本要求和现有状况1：对主要设备指标要求如F：MachineProjectSpecification光刻机A1.ignment<±0.25umCD0.8±0.1UmPartic1.e<10for0.35un轨道ResistthicknessGRR<O.I%Partic1.e<1.()for().35umResistthicknessUniformity,Partic1.e<10for0.35m现有的轨道SVG88、NIKON步进光刻机已能满足要求.2：光刻根底流程为：接收一预处理一涂胶一前烘一曝光一PEB一显影一坚膜一送出。3：光刻胶由光敏剂(RES1.N).活性剂(PAC)、溶剂和添加剂四局部组成，本室承受SH1.PP1.Y6812系歹IJ1.线光刻胶,光敏剂承受NOVA1.AK,PAC承受D1.AZONAPHTHAQUINoNE(DZNQ),两者比例为1：1。可以满足0.8UM光刻要求。4：光刻测量主要分CD测量和套刻测量两种，套刻测量最好用自动套刻检查仪，假设用显微镜检查读出结果，精度将不会太高，并且结果与操作者有很大的关系CD测量可以用干预法、电学测量法、SEM测量等方法，测量线条本室的SEM可以使用，但对孔的测量精度低,重复性差，且胶孔的低部无法观看。最好购置SEM自动测量软件，这样既能削减操作人带来的误差，又保证了可重复性。二：工艺窗口的设立0.8UM光刻工艺不是简洁的IUM工艺的升级，它的工艺窗口雷要重设立，需要大量的工艺试验，采集数据，分析验证明验结果.例如在硅衬底下，胶厚为12023A,曝0.8UM多晶线条，曝光能量步进变化，焦距步进变化，测量条宽值，绘出焦距T曝光能量一线宽图，对同样的硅片测量留膜率，绘出焦距一曝光能量一留膜率图，对同样的硅片测剖面角，绘出焦距一曝光能量一剖面角图，将三图合并为一图，如以以卜图所示，图中阴影局部即为工艺窗口.留膜率必需大于90%,剖面角必需大于87Co由图可知，在不同的条宽容宽要求卜.，焦深和曝光能量变化的容宽可宜接在图上反映出来，不同的条宽容宽要求有不同的阴影局部，图中阴影局部越大，工艺窗口越大，则工艺越稳定.对不同的光刻层次、不同的衬底都应设定相应的工艺窗口，以优化相应的工艺条件.三：工艺数据监控光刻工艺监控主要将把握膜厚的变化、EO的变化、条宽的变化、套刻的变化、颗粒的变化五种变化来监控工艺，时每种变化都需依确定的频次测量，列出数据表，计算出US1.和1.S1.,再计算出CP和CPK,CPK为工序力气系数，CPK大于2.0时，说明该工艺已格外稳定，到达国际水平，CPK在1.32.0之间时，说明该工艺比较稳定，CPK在1.01.3之间时，须改进菜单以稳定工艺，CPK小于1.O时，必需终止生产，修改工艺。四：须解决的问题和解决方法1：光刻孔的测量和观看问题。须协作检测人员一起解决。2：要开设很多光刻工艺窗口，工艺试验的数量是浩大的，不行能全部完成，而且从本钱和时间上看也不值得，最正确解决方法是购置光刻工艺模拟软件，这样只须完成一个工艺窗口就可以模拟其他工艺窗口的设立。3：套刻的自动测量问题，最正确解决方法为购置自动套刻检查仪。五：08微米光刻工艺指标0.8微米光刻模块序号光为层次内容目标1有M区1.汕Mt>202.*深莅BID0F:>1.0ub3.套刻I1.度±0.2Ua2多晶1.光客就>202.DOFz>1.0ub3.胶条剖面角度把>85,4.台阶上下的皎条条宽全部性把TIR<0.Iub5.套邮!度±02u三3接触孔1.光客宣>20«2.集深他国D0F:>1.0ib3.孔的剖面角度把>85,4.不同形装上的按触孔的尺寸和外形把一TK<0.Ig5.套期!度±0.2Ua4M-1>202.焦深低B1.DOF:>1.0ua3.放条剖面角度把>85,4.台阶上下的皎条条就全都性把握TIR<0,1.ta5.套刻度±0.2UB5金属通孔1.光春宽>20«2.焦深范B1.D0F:>1.0ia3.通孔的剖面角度把握>85,4.不同渗装上的通孔的尺寸和外形把，TIR<0.1»5.套剋精度±0.2Ua6三-21.光容宽>2M2.焦深IKB1.D0F:>1.0»3.跤条剖面角度把握>85,4.台阶上下的成条条宣全部性把，TIR<O.1.u5.套刻精度±0.2u三序号内容目标1光期姓度的定性把5%2光刻跤厚度的片内和片间均匀性把30A（3SiMma）3关层次的bias现定用于制版4条宽的片内和片间均匀性把TIR<0.1um5光陷把霾<0.1个决六制版要求1.掩模版尺寸：126.6±0.4mm掩模版厚度：2.29±0.1Omm掩模版材料：石英掩模版平坦度：2umc掩模版重量：110±17g（含保护膜及其框架的重量）2.保护膜及其框架Nikon1.505i6A光刻机可使用具有双面保护膜的掩模版，但应留意以下问题：应选用适用于i线的保护膜。为了不使贴膜后，由于框架内外的压力差造成保护膜变形，应在框架中设置适当的通气构造。保护膜框架的设置不应影响到版对位标记及其它曝光图形，且不阻碍版在光刻机上的装载。框架高度：<4.0±02mm（玻璃面）<6.3±0.2nm（铭面）框架厚度：4mm框架外径：<98±0.3mm（X方向）<120±0.3mm（Y方向）保护膜与框架的重量（双面的）：23.5±4.5g七：光刻机性能指标Type!505i6AReductionRatio5×Reso1.ution0.65UmA1.ignment.G1.oba1.(x+3sigma).A1.ignment,EGA(x+3sigma)O.I3um1hroughut,G1.oba1.(WZH).Throughput.EGA(WH).Interchangcabi1.i1.y().12un1.ensNA0.451.ensDistortion0.09umExposurefie1.d(square)15mmExposurefie1.d(circ1.e)21.23mmExposurePower(nVcn2)400I1.1.uminationUnif.1.5%ArrayOrthogona1.ity÷0.2secSteppingPrecision(3sigma)0.09umRetic1.eSize5”Wafersize6''K1.(R=Spec.)0.8K1.(R=().5um)0.62Reso1.ution(KI=I)0.81UmReso1.ution(K1=0.8)0.65UmDOF1.8un
